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磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長電子的運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此，在形成高密度等離子體的輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上。這就是磁控濺射具有“低溫”、“高速”兩大特點的機理。
磁控濺射的主要優(yōu)點如下：
（1）制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料，包括各種金屬、半導體、鐵磁材料，以及絕緣的氧化物、陶瓷、聚合物等物質(zhì)，尤其適合高熔點和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜；
（2）在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜；
（3）在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；
（4）控制真空室中的氣壓、濺射功率，基本上可獲得穩(wěn)定的沉積速率，通過精確地控制濺射鍍膜時間，容易獲得均勻的高精度的膜厚，且重復性好；
（5）濺射粒子幾乎不受重力影響，靶材與基片位置可自由安排；基片與膜的附著強度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會繼續(xù)表面擴散而得到硬且致密的薄膜，同時高能量使基片只要較低的溫度即可得到結晶膜；
（6）薄膜形成初期成核密度高，故可生產(chǎn)厚度lOnm以下的極薄連續(xù)膜